Proizvođač Broj proizvoda:
TSM80N1R2CI C0G
Product Overview
Proizvođač:
Taiwan Semiconductor Corporation
Broj dela:
TSM80N1R2CI C0G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12897909
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TSM80N1R2CI C0G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Taiwan Semiconductor
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
685 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
ITO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovni broj proizvoda
TSM80
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TSM80N1R2CI C0G-DG
TSM80N1R2CIC0G
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TSM80N1R2CI
Proizvođač
Taiwan Semiconductor Corporation
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
TSM80N1R2CI-DG
JEDINIČNA CENA
2.88
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
TSM150NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
